Referente
Paolo Nimis

Attività

Il TESCAN SOLARIS è un dual beam FIB-FE-SEM di ultima generazione utilizzabile per la caratterizzazione 2D e 3D di campioni geologici e materiali industriali. La sua geometria unica consente di combinare tecniche analitiche multiple in un singolo strumento. Grazie alla presenza di una doppia sorgente di elettroni e di ioni focalizzati e di una nutrita serie di spettrometri e rivelatori ad alta risoluzione, è possibile ottenere:

• immagini ad ultra-alta risoluzione con elettroni secondari e retrodiffusi
• immagini in catodoluminescenza
• analisi chimiche EDS e WDS puntuali, areali e mappe elementari
• analisi EBSD
• sezionamento FIB e produzione di lamelle per TEM-STEM
•  immagini e microanalisi STEM
• tomografie 3D FIB-SEM

Il SEM è a disposizione per utenti interni (Università di Padova) ed esterni (altri centri universitari e di ricerca, privati), sia per attività scientifiche che per attività commerciali.

Activities

The TESCAN SOLARIS is a state-of-art dual-beam FIB-FE-SEM for 2D and 3D characterization of geological and industrial solid materials. Its unique geometry allows combining multiple analytical techniques in one instrument. The presence of a dual focused-ion and electron beam source and of a wide set of spectrometers and detectors allows:

• ultra-high-resolution SE and BSE imaging
• panchromatic cathodoluminescence imaging
• EDS and WDS spot and areal microanalysis and elemental mapping
• EBSD analysis
• FIB sectioning and production of lamellae for TEM-STEM
• STEM imaging and microanalysis
• 3D FIB-SEM tomography

The SEM is available to internal (University of Padova) and external (other academic and research centers, private) users, for both scientific and commercial purposes.

Strumentazione

LO STRUMENTO

Dual beam FIB-FE-SEM Tescan SOLARIS, con camera a pressione variabile (fino a 500 Pa), equipaggiato con sistema microanalitico Oxford Instruments.

• Risoluzione 0.6 nm @ 30kV (STEM), 0.7 nm @ 15kV (In-beam SE), 1.4 nm @ 1kV (In-beam SE), 2.0 nm @ 30kV (BSE low-vacuum mode).
• Tensione di accelerazione da 200 eV a 30 kV, con regolazione in continuo.
• Corrente di fascio elettronico da 5 nA a 400 nA.
• FIB con sorgente di gallio, corrente fino a 100 nA e risoluzione di 2.5 nm @ 30 kV.
• Rivelatore SE in-beam/in-column.
• Rivelatore SE in camera del tipo E-T.
• Rivelatore SE per imaging in condizioni di basso vuoto.
• Rivelatore BSE in-beam/in-column, con filtro di energia.
• Rivelatore BSE di Mid-Angle.
• Rivelatore BSE in camera a scintillazione.
• Rivelatore STEM, per campo chiaro, campo scuro, High Angle DF.
• Rivelatore pancromatico per catodoluminescenza (350-600 nm).
• Rivelatore EBSD CMOS-Symmetry (Oxford Instruments) ad alta velocità di acquisizione (>3000 pps) e risoluzione (1244 x 1024 pixel).
• Rivelatore EDS (Silicon Drift) Ultim Max 65 (Oxford Instruments).
• Spettrometro WDS Wave 700 (Oxford Instruments) per elementi dal Be al Pu, dotato di 6 cristalli analizzatori utilizzabili in sequenza nel corso della stessa analisi. Possibilità di analisi a bassa accelerazione (<10 kV) e bassa corrente di fascio (5 nA) per accurata analisi degli elementi leggeri.
• Acquisizione combinata EDS e WDS, senza soluzione di continuità.
• Acquisizione EDS e EBSD combinata senza necessità di riposizionamento del campione.

 

THE INSTRUMENT

Dual beam FIB-FE-SEM Tescan SOLARIS, with a variable-pressure chamber (up to 500 Pa), equipped with Oxford Instruments microanalytical system.

• Resolution 0.6 nm @ 30kV (STEM), 0.7 nm @ 15kV (In-beam SE), 1.4 nm @ 1kV (In-beam SE), 2.0 nm @ 30kV (BSE low-vacuum mode).
• Acceleration voltage from 200 eV to 30 kV, with continuous adjustment.
• Electron beam current from 5 nA to 400 nA.
• FIB with gallium source, current up to 100 nA and resolution of 2.5 nm @ 30 kV.
• In-beam/in-column SE detector.
• In-chamber SE detector (type E-T).
• SE detector for low-vacuum imaging.
• In-beam/in-column BSE detector, with energy filter.
• Mid-angle BSE detector.
• In-chamber BSE detector.
• STEM detector, bright field, dark field, High Angle DF.
• Panchromatic cathodoluminescence detector (350-600 nm).
• High-speed (>3000 pps), high-resolution (1244 x 1024 pixel) EBSD detector CMOS-Symmetry (Oxford Instruments).
• Silicon Drift EDS detector Ultim Max 65 (Oxford Instruments).
• WDS spectrometer Wave 700 (Oxford Instruments) for analysis of elements from Be to Pu, equipped with 6 analyzer crystals, which can be used in sequence during the same analysis. Low acceleration (<10 kV) and low current (5 nA) allow accurate analysis of light elements.
• Combined EDS and WDS acquisition during the same analysis.
• Combined EDS and EBSD acquisition without repositioning of the sample.

Sede

Dipartimento di Geoscienze - via G. Gradenigo, 6 - 35131 Padova (Italy)

Primo piano: 01-040

Contatti

RESPONSABILE: Prof. Paolo Nimis - Tel. +39 0498279161

TECNICO ADDETTO: Dott. Jacopo Nava - Tel. +39 0498279184 

Norme di accesso
Norme di accesso al laboratorio di Microscopia Elettronica a Scansione FEG-FIB-WDS-EDS.pdf

Dettagli

L’accesso al laboratorio è consentito e previa prenotazione da parte del docente responsabile o del tecnico addetto

CALENDARIO OCCUPAZIONE DEL LABORATORIO:

e presentazione della documentazione seguente:

1) Modulo di accesso 

2) Attestato superamento corsi seguenti (solo al primo accesso):

 

PERSONALE ITALIANO:

The course is for undergraduate, graduate, and Ph.D. students and any others who require access to the laboratories       

Richiesta prestazioni

Dettagli

Temporaneamente per ottenere un turno di analisi si deve far riferimento al responsabile del laboratorio, il prof. Paolo Nimis (Tel. +39 0498279161) - e-mail: paolo.nimis@unipd.it